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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
34
读取速度,GB/s
16.9
15.8
写入速度,GB/s
12.0
12.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2830
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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