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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
81
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
81
读取速度,GB/s
16.9
12.7
写入速度,GB/s
12.0
6.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
1460
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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