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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
13.2
16.1
写入速度,GB/s
9.4
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3101
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
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