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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
13.2
15.1
写入速度,GB/s
9.4
11.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2382
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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