Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

总分
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

总分
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    23 left arrow 30
    左右 23% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.9 left arrow 13.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.4 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    23 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    13.6 left arrow 16.9
  • 写入速度,GB/s
    9.4 left arrow 13.4
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2096 left arrow 3257
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