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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905702-204.A00G 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
104
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
31
读取速度,GB/s
3,192.0
16.2
写入速度,GB/s
2,404.5
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3084
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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