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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
26
读取速度,GB/s
13.6
15.3
写入速度,GB/s
9.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2987
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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