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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
16.8
写入速度,GB/s
7.5
12.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2641
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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