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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.6
16.9
写入速度,GB/s
9.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3132
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Frequency (Mhz) *
calculate
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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