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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
45
读取速度,GB/s
13.6
14.9
写入速度,GB/s
9.4
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3177
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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