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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
25
读取速度,GB/s
13.6
13.9
写入速度,GB/s
9.4
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
1944
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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