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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
34
读取速度,GB/s
13.6
16.7
写入速度,GB/s
9.4
10.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2789
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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