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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
23
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
19
读取速度,GB/s
13.6
19.4
写入速度,GB/s
9.4
14.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3290
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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