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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.6
19.1
写入速度,GB/s
7.8
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
3859
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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