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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
12.6
15.8
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
2704
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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