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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB

总分
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

总分
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Kingston 9905711-017.A00G 4GB

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 43
    左右 33% 更低的延时
Kingston 9905711-017.A00G 4GB 需要考虑的原因
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 43
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 14.1
  • 写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2282 left arrow 2260

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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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