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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
12.8
11.2
写入速度,GB/s
9.4
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
2266
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
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