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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Kingston KVR24N17S8/4 4GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
12.6
15.4
写入速度,GB/s
8.6
7.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
2073
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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