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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,837.1
17.7
写入速度,GB/s
2,027.0
14.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3297
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
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