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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
26
读取速度,GB/s
4,837.1
19.4
写入速度,GB/s
2,027.0
16.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3899
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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