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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Kingston 9905663-007.A00G 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
52
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,027.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
43
读取速度,GB/s
4,837.1
12.4
写入速度,GB/s
2,027.0
8.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2024
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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