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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
13.7
13.5
写入速度,GB/s
9.3
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
2155
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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