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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
比较
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
总分
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
13.9
15.8
写入速度,GB/s
9.3
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2317
2905
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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