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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Kingston 9965604-001.D00G 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
52
左右 -49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,027.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
35
读取速度,GB/s
4,837.1
10.5
写入速度,GB/s
2,027.0
8.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2353
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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