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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
63
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
63
读取速度,GB/s
4,837.1
14.7
写入速度,GB/s
2,027.0
12.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2543
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
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