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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
52
左右 -117% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
24
读取速度,GB/s
4,837.1
17.0
写入速度,GB/s
2,027.0
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3151
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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