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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,837.1
17.2
写入速度,GB/s
2,027.0
12.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3100
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RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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