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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
52
左右 -30% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
40
读取速度,GB/s
4,837.1
14.8
写入速度,GB/s
2,027.0
11.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2709
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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