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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
5,021.4
17.2
写入速度,GB/s
2,135.0
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3592
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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