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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
5,021.4
15.1
写入速度,GB/s
2,135.0
11.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
1847
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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