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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
5,021.4
18.0
写入速度,GB/s
2,135.0
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3637
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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