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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
5,021.4
17.7
写入速度,GB/s
2,135.0
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3692
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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