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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
20.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
17.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
5,021.4
20.5
写入速度,GB/s
2,135.0
17.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
4064
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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