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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
5,021.4
17.2
写入速度,GB/s
2,135.0
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3614
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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