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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
5,021.4
18.2
写入速度,GB/s
2,135.0
16.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3748
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
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Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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