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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
5,021.4
14.2
写入速度,GB/s
2,135.0
10.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2148
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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