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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
16.1
14.1
写入速度,GB/s
10.1
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2646
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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