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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Teclast TLD416G26A30 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teclast TLD416G26A30 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
5,021.4
15.9
写入速度,GB/s
2,135.0
13.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2719
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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