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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
29
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
19
读取速度,GB/s
14.3
21.0
写入速度,GB/s
10.1
18.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3993
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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