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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
29
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
22
读取速度,GB/s
14.3
16.9
写入速度,GB/s
10.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2947
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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