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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
14.3
16.4
写入速度,GB/s
10.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2532
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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