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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
14.3
16.4
写入速度,GB/s
10.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2532
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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