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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

总分
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 29
    左右 -53% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.4 left arrow 14.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2227 left arrow 3397

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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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