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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

总分
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

总分
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 38
    左右 -31% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 10.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2753 left arrow 3384

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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
内存RAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
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