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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
28
读取速度,GB/s
4,670.6
18.4
写入速度,GB/s
2,378.6
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3525
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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