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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
28
读取速度,GB/s
4,670.6
17.4
写入速度,GB/s
2,378.6
14.5
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3419
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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