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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.9
15.5
写入速度,GB/s
8.4
9.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
2496
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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