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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
总分
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
60
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
60
读取速度,GB/s
13.2
17.3
写入速度,GB/s
8.2
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2165
2129
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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