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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
37
读取速度,GB/s
12.3
18.5
写入速度,GB/s
8.9
12.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3100
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
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