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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
AMD R7S48G2400U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7S48G2400U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
74
读取速度,GB/s
12.1
14.2
写入速度,GB/s
8.6
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
1774
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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