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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
47
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
40
读取速度,GB/s
11.8
16.0
写入速度,GB/s
9.2
14.0
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
2965
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
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